Scientific journal
Advances in current natural sciences
ISSN 1681-7494
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 0,775

Предпринятые исследования преследуют цель не только оправдать или опровергнуть результаты теоретических оценок. Сугубо прикладная их направленность состоит в дальнейшем существенном повышении световой отдачи (СО) указанных в заглавии самых энергоэкономичных источников света (ИС). В настоящее время их СО в десять раз выше, чем у ламп накаливания, и составляет около 150 лм/Вт, а по прогнозам может быть повышена до 385 лм/Вт. Диэлектрические потери подводимой к лампам энергии являются пока мало изученными и именно за счет их уменьшения может быть существенно повышена СО этих ИС.

Исследовались лампы с монокристаллическими и поликристаллическими разрядными трубками (РТ) с различной средней величиной зерен при подводе электроэнергии на различных частотах (15 и 1 МГц, 50 кГц и 50 Гц) в диапазоне температур от 100 до 7000 С. Если при 15 МГц величина тангенса угла потерь составляла около 0,05 и слабо изменялась с увеличением Т, то с уменьшением частоты переменного напряжения эта величина существенно возрастала с увеличением крутизны кривых, так что на частоте 50 Гц она увеличивалась от 0,1 до 0,7. Частотная зависимость тангенса угла потерь для монокристаллических трубок при всех частотах примерно на полтора порядка ниже по сравнению с поликристаллическими, что подтверждает влияние характера структуры через концентрацию локализующихся вокруг дефектов слабосвязанных ионов в решетке. Характер структуры резко влияет также на величину пробивного напряжения, поскольку границы зерен и дислокации в ионных кристаллах являются своеобразными областями со свойствами проводимости.

Уровень световой отдачи ламп также хорошо коррелирует с приведенными выше зависимостями. Лампы с монокристаллами при равных светопрозрачностях трубок имели светоотдачу на 15% выше по сравнению с поликристаллами. Специальными исследованиями показано, что лампы при питании на повышенных (килогерцовых) частотах тоже обладают повышенной светоотдачей. Поэтому дальнейшее повышение СО этих ИС ожидается от совершенствования дефектной структуры РТ.