Scientific journal
Advances in current natural sciences
ISSN 1681-7494
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 0,775

При исследовании закономерностей травления в низкотемпературной газоразрядной плазме необходимо учитывать многообразие гетерогенных массобменных процессов и наличие конкурирующего травлению материала подложки процесса плазменной полимеризации [1,2].

Целью настоящей работы является моделирование влияния глубины травления, размеров окна в маскирующем покрытии, вероятности взаимодействия травящих частиц с обрабатываемой поверхностью на форму профиля травления. При этом под взаимодействием понимается как физическое распыление материала подложки, так и химические реакции между химически активными частицами плазмы и подложкой с образованием летучих соединений, приводящие к формированию углублений.

Для получения выражения, описывающего скорость бокового подтравливания нами были введены следующие допущения:

- при травлении представляет собой кнудсенновский газ;

- поток активных частиц (АЧ), ответственных за травление, по всей обрабатываемой поверхности однороден;

- скорости всех летящих частиц равны;

- рассеяние частиц со дна канавки является диффузионным;

- маска в процессе траления не разрушается;

- подтрав изначально много меньше ширины окна в маске.

Предложенная нами математическая модель описывается следующей системой уравнений:

относительная величина подтрава в точке S

f,

максимальная величина бокового подтрава

f,

где f- скорость травления арсенида галлия в нормальном направлении; ξ - коэффициент взаимодействия АЧ с поверхностью; L - ширина окна в маске; H - глубина травления; Hs - глубина травления до точки S.

С использованием разработанной математической модели были получены результаты, позволяющие оценить влияние глубины травления, размеров окна в маскирующем покрытии, вероятности взаимодействия травящих частиц с обрабатываемой поверхностью на форму профиля травления. Полученные результаты расчетов по протравленным элементам топологии оценить вероятность взаимодействия травящих частиц с обрабатываемой поверхностью в используемых при проведении технологического процесса режимах.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

  1. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Вводный том. Книга 3// Под ред. Фортова В. Е. - М.: Наука, 2000, 576 с.
  2. Путря М.Г. Физико-технологические основы формирования трехмерных структур УБИС плазменными методами: Дисс. на соиск. уч. ст. д.т.н. - М.: МГИЭТ(ТУ), 2002, 278 с.