Одной из основных задач современного материаловедения является получение и исследование новых функциональных материалов на основе полупроводниковых соединений с учетом редкоземельных элементов. В настоящей работе приводятся результаты исследования системы Ho-BV-Se, (BV-As, Sb). Сплавы на основе As2Se3 могут применяться в передающих телевизионнных трубках как высокочувствительные материалы в фотомишенях типа «видикон». С другой стороны, твердые растворы на основе Sb2Se3 уже применяются как термоэлектрические материалы в качестве термоэлементов. Бинарные системы, составляющие тройную систему Ho-As-Se и Ho-Sb-Se, подробно изучены в работах [1–3, 5, 6, 8].
Цель исследования – выяснение характера химического взаимодействия в тройных системах Ho-As(Sb)-Se и изучение физико-химических свойств полученных стекол и твердых растворов системы As2Se3-HoSe и Sb2Se3-HoSe.
Материалы и методы исследования
Для приготовления образцов использовали Se марки ОСЧ 16-3, ГoM-1, Аs-B5, Sb-B4. Сплавы системы были синтезированы из элементов и лигатур, в вакуумированных кварцевых ампулах при 1200 К с последующим медленным охлаждением в режиме выключенной печи. Для достижения равновесных состояний сплавы подвергали гомогенизирующему отжигу в вакуумированных кварцевых ампулах в течение 500 ч при температурах на 50–100 К ниже температуры солидуса.
Исследования проводили комплексными методами физико-химического анализа. Методика исследования образцов аналогична описанной в [4, 7]. Диаграммы состояния разрезов построены по совокупности данных, полученных комплексом методов физико-химического анализа.
Результаты исследования и их обсуждение
Разрез As2Se3-HoSe (рис. 1) является квазибинарным сечением тройной системы Ho-As-Se. Ликвидус системы состоит из двух ветвей первичной кристаллизации фаз, α-твердых растворов на основе As2Se3 и HoSe. Эвтектика имеет координаты 90 мол. % As2Se3 и 570К. Обнаружена растворимость на основе As2Se3 до 1 мол. % при 300 К. С увеличением температуры она повышается. Область стекла на основе As2Se3 доходит до 20 мол. % при охлаждении со скоростью 7 град/с.

Рис. 1. Диаграмма состояния системы As2Se3-HoSe. Заштрихованная область – область стеклования
В отличие от As2Se3на кривых нагревания сплавов, содержащих от 1 до 20 мол. % HoSe обнаружены два эндотермических и один экзотермический эффект (табл. 1). Первый из них относится к температуре стеклования Тg, второй – к температуре кристаллизации (Ткр), а третий относится к температуре плавления сплавов на основе As2Se3. Сплавы на основе As2Se3, в отличие от Sb2Se3,, частично кристаллизуются при дифференциально-термическом анализе.
Таблица 1
Некоторые физико-химические свойства стекол системы As2Se3-HoSe
| 
 № п/п  | 
 Состав, мол. %  | 
 Термические эффекты, К  | 
 Микротвердость, Нμ, МПа  | 
 Плотность, г/см3  | 
|||
| 
 As2Se3  | 
 HoSe  | 
 Тg  | 
 Ткр  | 
 Тпл.  | 
|||
| 
 1  | 
 100  | 
 0  | 
 450  | 
 –  | 
 650  | 
 130  | 
 4,52  | 
| 
 2  | 
 99  | 
 1  | 
 455  | 
 490  | 
 648  | 
 134  | 
 4,54  | 
| 
 3  | 
 97  | 
 3  | 
 450  | 
 495  | 
 645  | 
 135  | 
 4,58  | 
| 
 4  | 
 95  | 
 5  | 
 445  | 
 485  | 
 645  | 
 135  | 
 4,60  | 
| 
 5  | 
 90  | 
 10  | 
 440  | 
 475  | 
 640  | 
 138  | 
 4,62  | 
| 
 6  | 
 80  | 
 20  | 
 438  | 
 475  | 
 635  | 
 140  | 
 4,65  | 
Некоторые физико-химические свойства стекол системы приводятся в табл. 1.Разрез As2Se3-HoAs (рис. 2) – также является квазибинарным и относится к простому эвтектическому типу. Координаты эвтектики 92 мол. % As2Se3 и 565 К. Растворимость на основе As2Se3 при 300 К составляет 2 мол. %, а при температуре эвтектики доходит до 7 мол. % HoAs. Область стекла на основе As2Se3 доходит до 15 мол. % при охлаждении 2·10–2 град/с.

Рис. 2. Диаграмма состояния системы As2Se3-HoAs. Заштрихованная область – область стеклования
Разрез Sb2Se3-HoSe квазибинарный и относится к простому эвтектическому типу (рис. 3). Координаты эвтектики 70 мол. % Sb2Se3 и 800 К. Для определения границы твердых растворов синтезировали несколько сплавов из области, богатой Sb2Se3 (через 1 мол. % HoSe), которые дополнительно отжигали при разных температурах в течение 350 часов, затем закаливали в ледяной воде и изучали их микроструктуры. В результате установлено, что растворимость на основе Sb2Se3 при 800 К достигает 15 мол. %, а с понижением температуры уменьшается и при 300 К доходит до 10 мол. %. Некоторые физико-химические свойства стекол системы As2Se3-HoAs приведены в табл. 2.Разрез Sb2Se3-HoSb является неквазибинарным сечением тройной системы Ho-Sb-Se (рис. 4). Он пересекает два подчиненных треугольника Sb2Se3-Sb-HoSe. Кривые ликвидуса соответствуют началу совместной кристаллизации фаз α-твердых растворов, HoSe и HoSb соответственно.

Рис. 3. Диаграмма состояния системы Sb2Se3-HoSe

Рис. 4. Диаграмма состояния системы Sb2Se3-HoSb. Фазовые области: I – HoSb2-HoSe-Sb; II – HoSb2-HoSe-HoSb
Изотермическая линия при 950 К отражает тройное перитектическое образование HoSb2 по реакции
Ж + HoSb ↔ HoSb2 + HoSe.
Изотермические линии при 650 и 700 К отражают тройные эвтектические равновесия, имеющиеся в соответствующих подчиненных тройных системах, которые пересекает разрез Sb2Se3-HoSb.Растворимость на основе Sb2Se3 при 650 К составляет 8 мол. % и с понижением температуры уменьшается до 5 мол. % при 300 К.
Таблица 2
Некоторые физико-химические свойства стекол системы As2Se3-HoAs
Таблица 2
Некоторые физико-химические свойства стекол системы As2Se3-HoAs
| 
 № п/п  | 
 Состав, мол. %  | 
 Термические эффекты, К  | 
 Микротвердость, Н?, МПа  | 
 Плотность, г/см3  | 
|||
| 
 As2Se3  | 
 HoSe  | 
 Тg  | 
 Ткр  | 
 Тпл.  | 
|||
| 
 1  | 
 100  | 
 0  | 
 450  | 
 –  | 
 650  | 
 130  | 
 4,52  | 
| 
 2  | 
 99  | 
 1  | 
 460  | 
 490  | 
 648  | 
 134  | 
 4,55  | 
| 
 3  | 
 97  | 
 3  | 
 460  | 
 485  | 
 645  | 
 138  | 
 4,60  | 
| 
 4  | 
 95  | 
 5  | 
 465  | 
 485  | 
 645  | 
 140  | 
 4,63  | 
| 
 5  | 
 90  | 
 10  | 
 470  | 
 475  | 
 640  | 
 143  | 
 4,65  | 
| 
 6  | 
 80  | 
 20  | 
 438  | 
 475  | 
 635  | 
 145  | 
 4,70  | 
Выводы
Комплексом методов физико-химического анализа исследован характер химического взаимодействия тройных систем по различным квази- и неквазибинарным разрезам, построены их диаграммы состояния, определены границы областей стеклообразования, изучены скорости растворения и обменной кристаллизации стекол, и эти стекла могут быть использованы при обработке оптической информации.



