Методы травления GaAs в низкотемпературной газоразрядной плазме в настоящее время широко исследуются и внедряются в производство изделий электронной техники[1-3]. Создание технологического оборудования для травления в низкотемпературной газоразрядной плазме с использованием магнетронных реакторов позволяет существенно улучшить параметры установок, влияющие на производительность и качество обработки GaAs. В частности, по сравнению с диодным ректором в реакторе магнетронного типа возможно достижение более высокой плотности мощности разряда и более устойчивое горение разряда при пониженном давлении.
Решающим достоинством травления в низкотемпературной плазме является возможность анизотропного травления, под которым понимается усиленное травление вглубь материала. Как известно, для увеличения анизотропного травления необходимо понижение рабочего давления и использование зарядов с магнитным удержанием плазмы.
Снижение давления в технологическом объеме плазмохимического реактора приводит к тому, что увеличивается длина свободного пробега частиц, ответственных за травление, вследствие чего возрастает анизотропия травления.
В рамках настоящей работы были проведены экспериментальные исследования по травлению GaAs в магнетронном разряде с использованием различных плазмообразующих газов. Полученные максимальные скорости травления в плазме различных рабочих газов и газовых смесей приведены в таблице.
Таблица.
|
Состав рабочего газа, об.% |
Скорость травления, мкм/мин |
|
H2 |
0,5 |
|
CCl4 |
5,0 |
|
C2 Cl3 F3 |
8,5 |
|
PCl3 (50%) + CCl4 (50%) |
12,5 |
|
PCl3 (50%) + C2Cl3 F3 (50%) |
15,0 |
|
PCl3 |
20,0 |
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Толивер Д., Новицки Р., Хесс Д. и др. Плазменная технология в производстве СБИС:Пер. с англ. С сокращ./Под редак. Айнспрука Н. и Брауна Д. - М.: Мир,1987, 472с.
- Беневоленский С.Б., Истомина Н.Л. Реактивное ионно-плазменное травление арсенида галлия в плазме водорода с использованием магнетронного разряда. - Известия ВУЗов, Сер. Электроника, 1996, №1-2, с. 111-113
- Овчинников И.Л., Светцов В.И., Ефремов А.М. Плазмохимическое травление арсенида галлия в смесях хлора с аргоном. - Микроэлектроника, 1999, т.28, №1, с. 16-20