Научный журнал
Успехи современного естествознания
ISSN 1681-7494
"Перечень" ВАК
ИФ РИНЦ = 0,775

Личный портфель

ОСОБЕННОСТИ ТРАВЛЕНИЯ GAAS В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА

Беневоленский С.Б. Шарова С.Б.

Методы травления GaAs в низкотемпературной газоразрядной плазме в настоящее время широко исследуются и внедряются в производство изделий электронной техники[1-3]. Создание технологического оборудования для травления в низкотемпературной газоразрядной плазме с использованием магнетронных реакторов позволяет существенно улучшить параметры установок, влияющие на производительность и качество обработки GaAs. В частности, по сравнению с диодным ректором в реакторе магнетронного типа возможно достижение более высокой плотности мощности разряда и более устойчивое горение разряда при пониженном давлении.

Решающим достоинством травления в низкотемпературной плазме является возможность анизотропного травления, под которым понимается усиленное травление вглубь материала. Как известно, для увеличения анизотропного травления необходимо понижение рабочего давления и использование зарядов с магнитным удержанием плазмы.

Снижение давления в технологическом объеме плазмохимического реактора приводит к тому, что увеличивается длина свободного пробега частиц, ответственных за травление, вследствие чего возрастает анизотропия травления.

В рамках настоящей работы были проведены экспериментальные исследования по травлению GaAs в магнетронном разряде с использованием различных плазмообразующих газов. Полученные максимальные скорости травления в плазме различных рабочих газов и газовых смесей приведены в таблице.

Таблица.

Состав рабочего газа, об.%

Скорость травления, мкм/мин

H2

0,5

CCl4

5,0

C2 Cl3 F3

8,5

PCl3 (50%) + CCl4 (50%)

12,5

PCl3 (50%) + C2Cl3 F3 (50%)

15,0

PCl3

20,0

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

  1. Толивер Д., Новицки Р., Хесс Д. и др. Плазменная технология в производстве СБИС:Пер. с англ. С сокращ./Под редак. Айнспрука Н. и Брауна Д. - М.: Мир,1987, 472с.
  2. Беневоленский С.Б., Истомина Н.Л. Реактивное ионно-плазменное травление арсенида галлия в плазме водорода с использованием магнетронного разряда. - Известия ВУЗов, Сер. Электроника, 1996, №1-2, с. 111-113
  3. Овчинников И.Л., Светцов В.И., Ефремов А.М. Плазмохимическое травление арсенида галлия в смесях хлора с аргоном. - Микроэлектроника, 1999, т.28, №1, с. 16-20

Библиографическая ссылка

Беневоленский С.Б., Шарова С.Б. ОСОБЕННОСТИ ТРАВЛЕНИЯ GAAS В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ МАГНЕТРОННОГО РАЗРЯДА // Успехи современного естествознания. – 2004. – № 7. – С. 90-90;
URL: https://natural-sciences.ru/ru/article/view?id=12945 (дата обращения: 23.11.2024).

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания»
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Современные проблемы науки и образования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1,006
«Фундаментальные исследования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1,674
«Современные наукоемкие технологии» список ВАК ИФ РИНЦ = 0,940
«Успехи современного естествознания» список ВАК ИФ РИНЦ = 0,775
«Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований» ИФ РИНЦ = 0,593
«Международный журнал экспериментального образования» ИФ РИНЦ = 0,425
«Научное Обозрение. Биологические Науки» ИФ РИНЦ = 0,400
«Научное Обозрение. Медицинские Науки» ИФ РИНЦ = 0,801
«Научное Обозрение. Экономические Науки» ИФ РИНЦ = 0,871
«Научное Обозрение. Педагогические Науки» ИФ РИНЦ = 0,733
«Научное Обозрение. Технические Науки» ИФ РИНЦ = 0,695
«European journal of natural history» ИФ РИНЦ = 0,301
«Международный студенческий научный вестник»
Издание научной и учебно-методической литературы ISBN РИНЦ DOI
РЕЦЕНЗИИ и ОТЗЫВЫ
кандидатов и докторов наук
на статьи, авторефераты, диссертации, монографии, учебники, учебные пособия
Академия Естествознания готовит к изданию реестр новых научных направлений, разработанных российскими учеными